Физический энциклопедический словарь - магниторезистивныйэффект

Понижение темп-ры и увеличение Н приводит к увеличению (/). П. Л. Капица в 1927, используя сильные магн. поля (в неск. сотен тысяч Э) при темп-ре жидкого азота, обнаружил у большого числа металлов и в широком интервале полей линейную зависимость (/) от Н (з а к о н К а п и ц ы). В слабых полях (/) пропорц. Н². Коэфф. пропорциональности обычно положителен, т. е. сопротивление растёт с увеличением магн. поля; исключение составляет ферромагнетики (см. Кондо эффект). Т. к. сопротивление чувствительно к кол-ву примесей и дефектов в крист. решётке, а также к темп-ре, то измерения (на определ. образце, при определ. темп-ре) могут приводить к разным зависимостям  от Н. Эксперим. данные для металлов удобно описывать, выразив (/) в виде ф-ции от Hэф=H(300/),. где 300— сопротивление данного металла при комнатной темп-ре (300 К) и H=0, а  — при темп-ре эксперимента и при H=0. При этом разл. данные, относящиеся к одному металлу, укладываются на одну прямую (п р а в и л о К о л е р а). Резкая анизотропия сопротивления в сильных магн. полях (у Au, Ag, Cu, Sn и др. небольшое изменение ориентации магн. поля может привести к изменению  иногда в 1000 раз) означает анизотропию Ферми поверхности (небольшая анизотропия соответствует изотроп. поверхности Ферми). Если с ростом Н для всех направлений  не стремится к «насыщению» — не перестаёт расти (Bi, As и др.), то эл-ны и дырки содержатся в проводнике в равном кол-ве. Стремление к насыщению означает преобладание носителей одного типа.

М. э. используется для исследования электронного энергетич. спектра и механизма рассеяния носителей тока в проводниках, а также для измерения магн. полей.

• См. лит. при ст. Гальваномагнитные явления.

Э. М. Эпштейн.